Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導體領域內表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時說的“閃存”。它結合了ROM和RAM的優點，具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，能夠在操作中被多次擦或寫，還可以快速的讀取數據（NVRAM的優點），使數據不會在斷電時丟失。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為存儲設備，但近年來Flash已經全面替代了ROM（EPROM），用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。

flash存儲器的分類

根據內部架構和實現技術，Flash存儲器可以分為AND、NAND、NOR和NiNOR四種，目前占據主流市場的就是NOR Flash和NAND Flash兩大類。

1、NOR Flash

NOR Flash是一種由Intel公司于1988年創建的非易失閃存技術。它將存儲單元組織為塊序列，能夠以字節為單位進行數據訪問，以并行的方式連接存儲單元，具有分離的控制線、地址線和數據線，具有較快的讀速度，能夠提供片上執行的功能。且其傳輸效率很高，在1-4MB的小容量時具有很高的成本效益，所以一般小容量的存儲都選用NOR Flash會更為合適。但由于其寫操作和擦除操作的時間較長，容量低，價格高，所以目前多用于手機、BIOS芯片以及嵌入式系統中頁進行代碼存儲。

2、NAND Flash

NAND Flash是由東芝公司于1989年發布的，內部采用線性宏單元模式，一個塊通常包括32頁，64頁，128頁，頁大小通常為512B，2KB，4KB，每個頁包含數據區和帶外區兩部分，數據區存儲用戶數據，帶外區存儲 ECC（erro rcorrecting codes），地址映射信息等用于Flash 存儲管理的信息，對應的大小通常為512B，32B，2KB，64B , 4KB，128B。
 

1、優點

（1）在不掉電的情況下長期保持存儲的信息

（2）在斷電時，數據不會丟失

（3）高存取速度，低功耗，易于擦除和重寫

2、缺點

（1）存儲容量不夠大

（2）價格偏高
 

從Flash存儲器的基本特點可以看出，在單片機中，可以利用Flash存儲器固化程序，一般情況下通過編程器來完成，Flash存儲器工作于這種情況，叫監控模式（Monitor Mode）或寫入器模式，這與一般的EPROM、OTP、EEPROM裝入程序的含義相似。另一方面，由于Flash存儲器具有電可擦除功能，因此，在程序運行過程中，有可能對Flash存儲區的數據或程序進行更新，Flash存儲器工作于這種情況，叫用戶模式（User Mode）或在線編程模式。